金晓峰

个人简介

        金晓峰,一九六二年六月生于浙江省衢州市。一九八三年、一九八九年毕业于复旦大学物理系,分获学士和博士学位;其中,一九八七年六月至一九八八年七月作为中法联合培养博士生在法国同步辐射中心学习。一九九零年三月至一九九一年八月份分别在法国同步辐射中心和瑞典查尔摩斯大学物理系从事博士后研究。一九九四年七月至一九九六年六月在美国加州大学伯克利分校物理系任客座研究员。现任复旦大学物理系教授、中国科学技术大学兼职教授。

 

         主要从事表面与超薄膜物理的研究,在若干研究课题中取得了一些有意义的结果。(1)从实验上发现并确定了氢在硅(100)表面的反常一级脱附动力学过程,已得到国际上同行的承认。(2)提出磷化铟极性表面的一种新的处理方法,并为国内外同行所采用。(3)澄清了CoSi2/Si (111)界面原子结构的长期争论,并获得国际上同行的承认。(4)设计并制作了一种新的3d金属的电子束蒸发源,并于1996年获美国真空学会颁发的“杰出工艺论文奖”。(5)从实验上获得了长期来人们试图得到的金属锰的面心立方亚稳相,还发现并获得了钴─锰合金的一种未知的体心立方亚稳相。

        至今已在国内外学术刊物上发表论文五十余篇。一九九二年和一九九六年分别应邀在“第二十一届国际半导体物理会议”和“第五届国际表面结构会议”上作了特邀报告。曾主持过多项国家自然科学基金、国家教委和上海市的各类基金。一九九六年又获国家杰出青年基金。

主要论著

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