马旭村

个人简介


 

马旭村,1971年11月出生,1988年7月北京大学化学系本科毕业,1997年7月中科院盐湖所化学硕士毕业,2000年7月中科院物理所凝聚态物理博士毕业。2000年至2002年在德国马普学会微结构物理研究所做博士后研究。2003年至今在中科院物理所表面物理国家重点实验室工作,现任中科院物理所研究员。曾获得2005年度中国科学院“杰出科技成就奖”(集体奖)、2008年北京市科学技术一等奖、2010年国家杰出青年科学基金。主要从事拓扑绝缘体和低维纳米结构的控制生长、量子效应与性能关系研究。

主要论著

 1.  Y. Zhang, K. He, C. Z. Chang, C. L. Song, L. L. Wang, X. Chen, J. F. Jia, Z. Fang, X. Dai, W. Y. Shan, S. Q. Shen, Q. Niu, X. L. Qi, S. C. Zhang, X. C. Ma, and Q. K. Xue, “Crossover of the three-dimensional topological insulator Bi2Se3 to the two-dimensional limit”, Nat. Phys. 6, 584 (2010).

 

2.  P. Cheng, C. L. Song, T. Zhang, Y. Y. Zhang, Y. L. Wang, J. F. Jia, J. Wang, Y. Y. Wang, B. F. Zhu, X. Chen, X. C. Ma, K. He, L. L. Wang, X. Dai, Z. Fang, X. C. Xie, X. L. Qi, C. X. Liu, S. C. Zhang, and Q. K. Xue, “Landau quantization of topological surface states in Bi2Se3”, Phys. Rev. Lett. 105, 076801 (2010).

 

3.  Y. Y. Li, G. A. Wang, X. G. Zhu, M. H. Liu, C. Ye, X. Chen, Y. Y. Wang, K. He, L. L. Wang, X. C. Ma, H. J. Zhang, X. Dai, Z. Fang, X. C. Xie, Y. Liu, X. L. Qi, J. F. Jia, S. C. Zhang, and Q. K. Xue, “Intrinsic topological insulator Bi2Te3 thin films on Si and their thickness limit”, Adv. Mater. 22, 4002 (2010).

 

4.  C. L. Song, Y. L. Wang, Y. P. Jiang, Y. Zhang, C. Z. Chang, L. L. Wang, K. He, X. Chen, J. F. Jia, Y. Y. Wang, Z. Fang, X. Dai, X. C. Xie, X. L. Qi, S. C. Zhang, Q. K. Xue, and X. C. Ma, “Topological insulator Bi2Se3 thin films grown on double-layer graphene by molecular beam epitaxy”, Appl. Phys. Lett. 97, 143118 (2010).

 

5.  Y. Zhang, C. Z. Chang,  K. He, L. L. Wang, X. Chen, J. F. Jia, X. C. Ma, and Q. K. Xue, "Doping effects of Sb and Pb in epitaxial topological insulator Bi2Se3 thin films: An in situ angle-resolved photoemission spectroscopy study", Appl. Phys. Lett.97, 194102 (2010).

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